Suppresseurs de tension transitoire PAR® à montage en surface ultra-stables (TVS) DO-218AB SM8S
Avantages du DO-218AB SM8S :
1. Grâce à la technologie de la méthode de gravure chimique, les résultats négatifs des moyens de coupe directe sont éliminés.
2. Puissant en surtension inverse en raison d'une puce plus grande que ses homologues.
3. Taux d'échec extrêmement faible dans différents climats et régions
4. Approuvé par la norme AEC-Q101
5. Les fonctions de la diode sont optimisées, bénéficiant de la protection scientifique sur la jonction PN.
CARACTÉRISTIQUES PRIMAIRES：
VBR : 11,1 V à 52,8 V
VWM : 10 V à 43 V
PPPM (10 x 1000 μs) : 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs) : 5200 W
DP : 8 W
IFSM : 700 A
TJ max. : 175 °C
Polarité : unidirectionnelle
Colis : DO-218AB
Procédures de production de Chip
1. Impression automatique（Impression de plaquettes automatique ultra-précise）
2. Première gravure automatique（Équipement de gravure automatique，CPK>1.67）
3. Test de polarité automatique (test de polarité précis)
4. Assemblage automatique (assemblage automatique précis auto-développé)
5. Soudure (protection avec un mélange d'azote et d'hydrogène
soudure sous vide)
6. Deuxième gravure automatique (deuxième gravure automatique avec de l'eau ultra pure)
7. Collage automatique (un collage uniforme et un calcul précis sont réalisés par un équipement de collage précis automatique)
8. Test thermique automatique (sélection automatique par testeur thermique)
9. Test automatique (testeur multifonctionnel)
